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1、 直擊雷非防護(hù)區(qū)（LPZOA）：本區(qū)內(nèi)的各類(lèi)物體都可能遭到直接雷擊，本區(qū)內(nèi)的電磁沒(méi)有衰減，屬完全暴露的不設(shè)防區(qū)； 2、 直擊雷防護(hù)區(qū)（LPZOB）：本區(qū)內(nèi)的各類(lèi)物體很少遭到直接雷擊，但本區(qū)內(nèi)電磁場(chǎng)沒(méi)有衰減，屬充分暴露的直擊雷防護(hù)區(qū)； 3、 屏蔽防護(hù)區(qū)（LPZ1）：本區(qū)別內(nèi)的各類(lèi)物體不可能遭受直接雷擊，流經(jīng)各類(lèi)導(dǎo)體的電流比LPZ0B進(jìn)一步減小，由于建筑物的屏蔽措施，本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)得到了初步的衰減； 4、 第二屏蔽區(qū)（LPZ2+n）（n=0，1，2，3，4…）：為進(jìn)一步減小雷電電磁脈沖強(qiáng)度引入的后續(xù)防護(hù)區(qū)； 在重要的電子設(shè)備和計(jì)算機(jī)機(jī)房，在UPS后宜安裝安裝標(biāo)稱(chēng)通流容量≥10KA（8/20μs波形），標(biāo)稱(chēng)導(dǎo)通電壓Un≥2Uc（Uc：工作電壓）、響應(yīng)時(shí)間≤50ns的浪涌保護(hù)器作為精細(xì)防護(hù)。 7）、在二次（直流）電源的設(shè)備前宜安裝低壓直流電源SPD，其標(biāo)稱(chēng)通流容量≥10KA（8/20μs波形），標(biāo)稱(chēng)導(dǎo)通電壓Un≥1.5Uz（Uz：直流工作電壓）、響應(yīng)時(shí)間≤50ns的浪涌保護(hù)器作為直流電源防護(hù)。 2、電源線(xiàn)路SPD的選擇要求：1）、入戶(hù)為低壓架空線(xiàn)路宜安裝三相電壓開(kāi)關(guān)型SPD，埋地電